匿名人士2026-09-05 04:09:46
曾任职三星电子并跳槽长鑫存储的全姓工程师，日前于首尔中央地方法院出庭作证时坦承，长鑫存储高层2016年创立起便无意自研，而是窃取三星核心制造过程资料。涉案外泄的技术为三星18奈米级DRAM制造过程，详细记录生产过程600道制程步骤及关键设备条件。
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匿名人士2026-09-05 04:09:46
曾任职三星电子并跳槽长鑫存储的全姓工程师，日前于首尔中央地方法院出庭作证时坦承，长鑫存储高层2016年创立起便无意自研，而是窃取三星核心制造过程资料。涉案外泄的技术为三星18奈米级DRAM制造过程，详细记录生产过程600道制程步骤及关键设备条件。
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