功耗降低50% 性能提升35% 三星3nm工艺下周量产
摘要：
尽管台积电过去几年在7nm、5nm、4nm等先进工艺上占尽优势，但是三星一直在努力追赶，3nm节点将成为三星的一次关键，韩国媒体称三星将在下周宣布3nm工艺量产，进度将领先台积电。
据韩联社消息，接近三星的消息人士称，三星计划在6月最后一周宣布量产3nm工艺的消息，届时三星将会成为全球第一个量产3nm工艺的半导体厂商，台积电的3nm计划是2022年下半年量产。
5月底，美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂，这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂，三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆，不过具体是哪款芯片还不得而知。
根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
