弯道超车台积电 三星30日量产3nm工艺：良率超预期
摘要：
6月28日，据韩国日报消息，三星将在6月30日宣布量产3nm工艺，此举也意味着三星在新一代工艺节点上弯道超车台积电，后者预计今年下半年才会量产3nm工艺。3nm工艺的具体详情还没公布，但是之前导致三星被质疑的良率问题应该已经解决，韩国分析师、HMC投资证券公司研究中心主管Greg Roh日前透露称，三星的3nm工艺良率提升速度远高于市场预期、新增客户速度相当快。
根据他的数据，三星晶圆代工业务将成长40%左右、高于业界整体25%的增幅水平。
按照三星去年公布的信息，3nm节点也分为3GAE及3GAP，前者主要是三星自己用，后者首次使用GAA晶体管，面向外部代工客户。
根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
