三星开始量产当前业界最高容量密度的第八代V-NAND
摘要：
正如在2022年闪存峰会和2022年三星存储器技术日上所承诺的那样，三星电子今天宣布，它已经开始大规模生产具有业界最高比特密度的1Tb三层单元（TLC）第八代垂直NAND（V-NAND）。新的V-NAND颗粒的单位容量为1Tb，是迄今为止业内最高的存储容量，可在全球下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
三星电子闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hur说："由于市场对密度更大、容量更大的存储的需求推动了更高的V-NAND层数，三星采用了先进的3D缩放技术来减少表面积和高度，同时避免了通常在缩小规模时出现的单元间干扰。我们的第八代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。"
三星通过大幅提高每片晶圆的比特生产率，实现了业界最高的容量密度。基于Toggle DDR 5.0接口这一最新的NAND闪存标准，三星第八代V-NAND的输入和输出（I/O）速度可高达2.4千兆比特/秒（Gbps），比上一代产品提高了1.2倍。这将使新的V-NAND能够满足PCIe 4.0以及后来的PCIe 5.0的性能要求。
第八代V-NAND有望成为存储配置的基石，帮助扩大下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到对可靠性特别要求的汽车市场。
