三星3nm GAA良品率被曝低至20% 旨在通过与美国公司合作提高产量
摘要：
在生产尖端3纳米GAA芯片的竞赛中，三星在技术上可能已经领先了台积电，但这并不意味着该公司的生产进展足够顺利。根据最新的报告，这家韩国制造商正经历着可怕的良品率，低到只有20%，公司正打算通过与一家美国公司的最新合作将这一数字提高到可以接受的程度。
据称美国公司Silicon Frontline Technology可以运用成熟的方法，帮助三星提高其3纳米GAA的良品率。
之前三星电子的4纳米架构的一系列问题迫使高通转向台积电，导致其订单流失。现在，据《商业时报》报道，与5纳米工艺相比，本应带来巨大改进的3纳米GAA节点也在经历着同样的挫折。
为了克服众多障碍，据说三星已经与美国的Silicon Frontline Technology公司合作，以提高其3纳米GAA的良率。至于为什么Silicon Frontline Technology似乎是理想的合作伙伴，据说该公司已经采用了水法鉴定和防止静电放电技术来提高晶圆产量的方法。
据报道，静电放电，即ESD是造成晶圆缺陷的主要原因，这可以解释三星3纳米GAA架构的低产量。到目前为止，这家韩国巨头通过采用其合作伙伴使用的技术，正在见证积极的成果，但实际的好处将在未来几个月看到，届时多个客户要么排队体验这种尖端的制造工艺，要么坚持使用台积电。
目前，三星没有完成智能手机制造商的订单，早些时候有报道称，三星将向加密货币矿工运送最初一批产品。除此之外，它还有可能重新与高通公司建立合作关系，因为后者很可能在未来的芯片组中使用与台积电的双重采购方式。然而，如果三星继续看到其3纳米GAA芯片的低收益率，那么许多客户可能会对该公司的订单望而却步。
