SK Hynix要求SK Trichem赔偿原料中杂质导致DRAM生产线受损的损失
摘要：
SK Hynix本月初在其一个DRAM生产厂遇到了问题，原因是生产中使用的锆高K材料中含有杂质。这些材料是由SK Trichem提供的，由于这些杂质，SK Hynix工厂的设备最终导致一些生产设备的运转压力增加，并迫使生产关闭。
最终评估后，SK Hynix认为由于材料中的杂质，工厂的所有设备都必须进行清洗，有些甚至被替换。
锆高K材料是在原子水平上沉积的，在DRAM的电容器上面，作为前体。这种材料中的任何杂质都会导致DRAM芯片失效，但据SK海力士称，尽管造成了损失，但在这种情况下暂时还没有对生产过程造成拖延。
该公司将暂时从其他两家供应商处订购替代材料，SK Trichem应该在本月底前会供应一批新材料。
