SK Hynix进入其第5代1β DRAM的合作伙伴验证程序
摘要：
尽管与最新的处理器和GPU相比，DRAM使用的生产工艺要少得多，但所有的主要制造商都在继续一步步地缩小其制造节点。其部分原因是，节点收缩对DRAM的改善并不像对大多数类型的场效应晶体管或FET那样明显，后者大多用于制造某种处理器逻辑。
据说SK海力士现在已经进入其第五代1β DRAM的合作伙伴验证过程，以确保其最新的1x纳米DRAM与主要应用兼容，在SK海力士的案例中，这应该大致转化为12纳米工艺节点。
据韩国朝鲜媒体报道，英特尔将参与这项验证，此前英特尔已经完成了对SK海力士第四代至强可扩展处理器的第四代1α DRAM的验证。最初，SK Hynix的第5代1β DRAM将针对服务器应用，所以它很可能会被测试与英特尔等相同平台的兼容性。新的1β DRAM据说可以提高40%以上的效率，尽管该出版物没有提到这是否是电源效率或其他方面。
SK海力士的1β DRAM和三星在在2022年12月宣布了其1β DRAM都是使用EUV光刻工艺制造的，这两家韩国DRAM制造商是迄今为止仅有的两家使用EUV的DRAM制造商。
