内存行业明年将迎来全新3D DRAM 存储密度有望快速攀升
摘要：
如今的内存市场上，不仅面临着价格下滑的压力，同时技术发展也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。
然而EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片的技术难题，三星已经做到了12nm工艺，再往后的内存工艺很难说，核心原因还是传统的2D DRAM内存技术快到极限了，就跟CPU逻辑工艺情况类似。
后面怎么办？作为内存一哥，三星也早就在准备新的技术了，那就是3D DRAM，类似闪存从2D到3D的转变一样，通过3D堆栈来进一步提高内存的存储密度。
在这个新技术上，垄断了全球75%内存产能的三星、SK海力士及美光三家公司都在积极研发，其中三星早在2021年就宣布组建全新的团队攻关新一代内存技术。
SK海力士也有类似的计划，而且他们计划在明年公布3D DRAM技术的进展，这个领域目前还没有哪家公司是绝对的领先，因此抢先公布可以赢得更多机会。
不过3D DRAM内存现在还在研发阶段，距离真正量产还要很久，至少三四年后才会有产品问世。
