三星以未来将3D NAND为目标打造PB级固态硬盘 新技术预计2030年后发布
三星讨论了其计划,即在未来十年内为其3D NAND技术实现五级单元的扩展,从而提供高达Petabytes级别的容量,尽管它们可能在十年后才出现。在今年的中国闪存市场峰会(CFMS2023)上,三星电子与美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他知名闪存公司一起出席。三星电子与观众讨论了"闪存的再进化和迈向新时代"的话题。
这次讨论强调了该公司的高级内存容量的能力,以及通过其3D NAND闪存达到如此高容量的困难。
三星电子NAND产品规划部副总经理Kyungryun Kim解释说,三个层次的技术--物理扩展、逻辑扩展和封装技术--不仅在不断发展,而且理论上能够达到1PB,即1024TB的容量。然而,按照当今的技术标准,该公司在十年内不会实现这一目标。此外,该公司正在寻求将四级单元技术用于更多的存储设备,并专注于使该技术更加灵巧。
在讨论达到五级容量的进化途径时,该公司还展示了PM1743系列PCIe 5.0固态硬盘(SSD)。新的PM1743系列比以前的型号能效高达百分之四十,并且经过测试,与英特尔和AMD的PCIe Gen 5平台兼容。
三星在讨论其技术进步时总是有些沉默,特别是有关3D NAND存储器领域。该公司正在继续寻找将四级单元3D NAND设备以更广泛的采用率推向公众的方法。三星认为,专注于更新的控制器技术将达到这些目标。目前,该公司在物理上对3D NAND设备进行缩放。然而,该公司将需要研究逻辑缩放,以使存储设备的访问量超过一千层。逻辑扩展将允许提升每个单元内存储的信息位数。
虽然该公司对其技术一直保持沉默,但其竞争对手Kioxia的发展却更加透明。该公司在2019年推出了五级单元的3D NAND存储器,每单元可存储5比特(5 bpc)。两年后,Kioxia突破了5 bpc的技术,达到6 bpc。该公司表示,他们还在研究是否能推进到8个bpc,创造一个八级单元的3D NAND存储器设备。目前,该公司还远远没有达到这样的长度。
每单元存储多个比特,给许多3D NAND制造商带来了许多挑战。确定能够存储各种电压状态的材料,同时还能区分它们以防止干扰,是所有公司目前都在努力克服的这样一个障碍。此外,他们还需要开发纠错技术,以便在每单元的比特数增加时保持数据的完整性。