三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存 每个堆栈带宽达5TB/s

ZDNet Korea报道，三星于2023年4月26日向专利信息搜索服务机构（KIPRIS）提交了其最新DRAM HBM3P Snowbolt的商标申请。预计它将在今年下半年发布。

Snowbolt是三星电子下一代HBM DRAM产品的品牌名称，目前仍未决定该名称是否用于哪一代产品。

三星电子HBM分支的前几代产品是：

Flarebolt：第一代HBM2内存

Aquabolt： 三星电子2018年的第二代HBM2内存

Flashbolt： 该公司的第三代HBM2E内存（2020）

Icebolt： 这种HBM3内存最初是以原型阶段发布的，但预计将在今年晚些时候量产

在上个月给投资者和媒体的电话会议中，引用了三星电子的发言人的话说、

我们已经向主要客户提供了HBM2和HBM2E产品，及时提供最高性能和最高能力的产品，满足AI市场的需求和技术趋势，以及HBM3（16GB和12GB）。然而，24GB的产品也正在进行采样，并且已经完成了大规模生产的准备工作。不仅是目前的HBM3，还有市场所需的性能和容量更高的下一代HBM3P产品，都在为下半年的上市做准备，其性能堪称业界一流。这将使HBM3P的整体性能比前代产品提高10%，此外，客户还将利用先进的高多层堆叠和内存宽度实现，预计明年HBM3P内将会出现。路线图还显示，到2025年，HBM3P将采用PIM（内存编程），到2026年将采用HBM4。

更多的大型科技巨头正在利用高带宽的内存模块来大幅提高数据的进程，以增强机器学习的AI。在过去的几年里，HBM模块的市场呈指数级增长，HBM的销量慢慢超过了DRAM内存模块。三家公司占据了高带宽内存的市场份额，SK海力士、三星电子和美光。SK Hynix占据了50%的市场份额。三星电子紧随SK海力士之后，占40%，美光落到第三位，只占剩余的市场占有率的10%。