三星在DRAM和NAND巨亏的背景下开始投产第三款3纳米芯片

摘要:

三星公司本周公布了 2023 年第二季度的财务报告,以 34 亿美元的巨额营业亏损结束了今年特别黯淡的一个季度。在 3D NAND 和 DRAM 销量和价格持续低迷的情况下,三星的半导体业务也出现了亏损。不过,三星财报中也有一个好消息:该公司已开始生产第三款 3 纳米芯片设计,且产量稳定。

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在谈及三星晶圆代工的财报时,该公司仍对下半年的需求复苏持不确定态度。三星在一份声明中写道:"在下半年市场复苏力度存在相当大的不确定性的情况下,需求将逐步恢复,消费者情绪将在通胀缓解和客户结束库存调整的情况下反弹。"

更广泛地说,三星营收大幅下降,同比下降 22%,降至 469.15 亿美元。三星半导体部门(包括内存、SoC 和代工业务)的收益下降至 298.6 亿美元,同比下降 48%。内存销售额达到 70 亿美元,同比下降 57%,但季度环比增长 1%。总体而言,由于商品内存需求低迷以及商品 3D NAND 和 DRAM 价格下降,三星半导体业务亏损 34 亿美元。

不过,三星的 DRAM 业务也有一些亮点。对 DDR5 模块和 HBM 内存等高性能、高密度高端产品的需求增加,部分抵消了商品内存销售的放缓。

三星表示:"由于我们扩大了服务器产品的销售,同时积极应对 DDR5 和 AI 用 HBM 需求的增长,比特增长超过了预期。在主要超大规模企业加大对人工智能投资的推动下,高密度/高性能产品的需求保持强劲。"

虽然三星预计内存需求将在下半年复苏,但该公司预计将颁布更多减产措施,以进一步支撑内存价格。"我们预计下半年内存市场将逐步复苏,但市场反弹的速度可能取决于我们的宏观变量,"内存部门执行副总裁 Jaejune Kim 说。"三星还将进一步调整部分产品的产量,包括 3D NAND。

三星在一份声明中写道:"整个行业的减产可能会在下半年继续,随着客户继续去库存(芯片),需求有望逐步恢复。得益于 3nm 工艺的稳定,我们的第三款 GAA 产品的量产进展顺利,我们正在根据 GAA 的量产经验,按计划开发 3nm 的改进工艺。"作为三星财报的一部分,该公司还透露已开始生产其第三款 3 纳米(GAAFET)芯片。

最近有消息称,三星代工厂在其 SF3E 节点(以前称为 3GAE,即 3nm Gate-all-around early)上生产 Whatsminer M56S++ 加密货币挖矿 ASIC 已经有一段时间了。后来又有消息称,另一家加密货币挖矿硬件开发商 PanSemi 也在使用三星的 SF3E 制造其挖矿 ASIC。现在,三星证实又有一家客户使用了其最新的生产节点,不过该公司并未透露有关该客户或其芯片的更多细节。

生产微小的加密货币挖矿专用集成电路(ASIC)是在商业应用中测试新制造工艺的好方法,因为即使缺陷密度相对较高,此类芯片的良品率也可能足够高。同时,三星代工厂的 SF3E 工艺技术有望提高加密货币挖矿 ASIC 的性能并降低功耗(与上一代节点上生产的同类芯片相比),而这些正是加密货币矿工们为提高收益而希望达到的目标。

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