三星加大NAND闪存减产力度，预计年底达50%

消息人士称，三星已在2023年上半年将NAND闪存产量削减了20%。预计年底前50%的削减将持续至少一个季度。

消息人士还表示，三星减产的目的是加速其工艺技术转型，以改善产品结构。三星将在2023年将128层堆叠第六代V-NAND作为其主要技术，但目标是提高176层和236层NAND供应比例。因此，放弃生产采用成熟工艺制造的第五代V-NAND产品在预料之中。

随着市场领导者大幅减产，NAND闪存定价趋势的近期前景看涨。三星512Gb NAND闪存晶圆报价从此前的1.40美元上涨至1.60美元左右，市场价格达到1.80美元，甚至更高。预计今年年底512Gb晶圆单价将达到2美元。然而，即使价格达到2美元，对于原始芯片制造商来说，盈利仍将是挑战。

随着晶圆成本增加，消费级SSD和企业级解决方案等闪存设备的价格将会上涨。尽管如此，消息人士指出，市场需求能否顺利恢复对于未来维持价格上涨至关重要。

品牌手机供应商持有的库存相当低。华为新智能手机的发布是否会鼓励其他中国品牌公司囤积芯片还有待观察。

消息人士表示，尽管近期NAND闪存现货价格大幅上涨，但到今年底合约市场可能仅维持5%的小幅涨幅。