三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存
三星在其 2023 年内存技术日上正式推出了包括 HBM3E、GDDR7、LPDDR5x CAMM2 等在内的下一代内存技术。我们已经报道过代号为"Shine Bolt"的三星 HBM3E 内存和面向下一代人工智能、游戏和数据中心应用的 GDDR7 的发展情况。这些可以看作是 2023 年内存技术日的两大亮点，但三星肯定还有更多的动作。
面向人工智能和数据中心的三星 HBM3E"Shinebolt"内存
基于三星在 2016 年将业界首个 HBM2 商业化并为高性能计算（HPC）打开 HBM 市场的专业技术，该公司今天发布了名为 Shinebolt 的下一代 HBM3E DRAM。三星的 Shinebolt 将为下一代人工智能应用提供动力，提高总体拥有成本（TCO），加快数据中心的人工智能模型训练和推理。
HBM3E 每引脚速度高达 9.8 千兆比特每秒（Gbps），这意味着它可以实现超过 1.2 太字节每秒（TBps）的传输速率。为了实现更高的层堆叠并改善热特性，三星优化了其不导电薄膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。三星的 8H 和 12H HBM3 产品目前已进入量产阶段，Shinebolt 的样品也已交付给客户。
凭借其作为半导体整体解决方案提供商的优势，该公司还计划提供将新一代 HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制交服务。
适用于下一代游戏显卡的三星 GDDR7 - 32 Gbps 和 32 Gb DRAM
会上重点介绍的其他产品包括业界容量最高的 32Gb DDR5 DRAM、业界首款 32Gbps GDDR7 以及可显著提升服务器应用存储能力的 PBSSD。
据三星称，与目前最快的 24 Gbps GDDR6 DRAM 相比，GDDR7 内存将提高 40% 的性能和 20% 的能效，芯片容量最高可达 16Gb。首批产品的额定传输速度达 32 Gbps，比 GDDR6 内存提高了 33%，同时在 384 位总线接口解决方案上实现了 1.5 TB/s 的带宽。
以下是 32 Gbps 引脚速度在多种总线配置中提供的带宽：
512 位 - 2048 GB/秒（2.0 TB/秒）
384 位 - 1536 GB/秒（1.5 TB/秒）
320 位 - 1280 GB/秒（1.3 TB/秒）
256 位 - 1024 GB/秒（1.0 TB/秒）
192 位 - 768 GB/秒
128 位 - 512 GB/秒
该公司还测试了运行速度高达 36 Gbps 的早期样品，但我们怀疑这些样品是否能大量生产，以满足下一代游戏和人工智能 GPU 的需求。
GDDR7 显存的能效也将提高 20%，考虑到显存对高端 GPU 的巨大功耗，这无疑是件好事。据悉，三星 GDDR7 DRAM 将包括专门针对高速工作负载进行优化的技术，还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等注重功耗的应用而设计。在散热方面，新的内存标准将采用具有高导热性的环氧树脂模塑化合物（EMC），可将热阻降低多达 70%。早在 8 月份就有报道称，三星向英伟达（NVIDIA）提供了 GDDR7 DRAM 样品，用于下一代游戏显卡的早期评估。
用于下一代 CAMM2 模块的三星 LPDDR5x 简化移动设计
为了处理数据密集型任务，当今的人工智能技术正朝着在云和边缘设备之间分配和分配工作负载的混合模式发展。因此，三星推出了一系列内存解决方案，支持边缘设备的高性能、大容量、低功耗和小外形尺寸。
除了业界首款 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2（有望真正改变下一代 PC 和笔记本电脑 DRAM 市场的游戏规则）之外，该公司还展示了 9.6Gbps LPDDR5X DRAM、专用于设备上人工智能的 LLW DRAM、下一代通用闪存（UFS）以及用于 PC 的大容量四级单元（QLC）固态硬盘 BM9C1。
