ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功
摘要：
上周，ASML 庆祝了一个重要的里程碑--该公司的社交媒体账户分享了其第三代极紫外光（EUV）光刻工具到达一位未具名客户的消息。帖子包括几张照片--ASML 工人聚集在一对恒温集装箱前，Peter Wennink（总裁兼首席执行官）和 Christophe Fouquet（执行副总裁兼 CBO）向公司总部的员工表示感谢。
"芯片制造商需要速度！第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片制造厂。 凭借其新型晶圆平台，该系统将为先进芯片的印刷提供领先的生产率。我们正在将光刻技术推向新的极限。"
Twinscan NXE:3800E 是 ASML 0.33 数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列中的最新平台。相关信息很少，因为ASML公司尚未发布 3800E 产品页面。
而前一个型号--Twinscan NXE:3600D 支持3纳米和5纳米的 EUV 量产。ASML 的路线图表明，Twinscan NXE:3800E 是为生产 2 纳米和 3 纳米级技术的芯片而设计的。该公司最先进的高纳极致紫外线（EUV）芯片制造工具（High NA Twinscan EXE）预计成本约为 3.8 亿美元。上个月的报道指出，现有的低纳极致紫外线光刻系统"的价格可能为 1.83 亿美元。
另一台低噪点EUV设备将于2026年发布--ASML的下一代Twinscan NXE:4000F型号将与新兴的（更昂贵的）高噪点解决方案并存。
