三星的3纳米工艺良品率提高了三倍 但仍落后于台积电
摘要：
三星在提高其3 纳米 GAA 工艺良品率方面遭遇的困难和付出的努力众所周知，但最新的消息称，这家韩国巨头的代工厂已成功地将这一数字提高到原来的三倍。这意味着，3 纳米工艺的良品率从之前的 10%-20%，提高到了现在的 30%-60%。
虽然有了巨大的进步，但该公司仍然落后于台积电，有传言称三星在其第二代 3nm GAA 工艺上投入了更多资源。
随着台积电积极扩大其 3nm 晶圆生产规模，预计今年月产量将达到10 万片，三星几乎没有机会赶上其代工竞争对手。当然，在过去的几年里，这家台湾半导体巨头在这一领域几乎没有遇到过任何能够分庭抗礼的竞争对手，但三星仍在不断努力。
据爆料人 Revegnus 称，第二代 3nm GAA 工艺正显示出巨大的潜力，据传在功耗、性能和逻辑面积方面都将有所改进。虽然没有提及第二代 3nm GAA 工艺的良品率，但据说它与台积电的 N3P 节点相当。
三星必须对良品率进行进一步优化，因为早前有报道称，三星需要将良品率提高到 70%，才能重新赢得高通等老客户的信任。还有传言称，三星正在为未来的订单加大对 2nm 技术的投资，但事实证明，这些 2nm 晶圆实际上是名称不同的 3nm 晶圆。
到目前为止，除了完成3nm GAA 工艺的加密货币挖矿硬件订单外，三星还没有为其他客户带来满意的服务。可能是这些公司对早期样品印象不佳，决定在可预见的未来继续使用台积电。不过，这并不意味着三星不致力于进行调整，但要对行业内的翘楚构成足够的威胁还需要一段时间。
