三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年
摘要：
3D晶体管正在各种类型芯片中铺开，3D DRAM内存也讨论了很多年，但一直没有落地。如今三星公开的路线图上，终于出现了3D DRAM。三星的DRAM芯片制造工艺目前处于1b，后续还有1c、1d，都是10nm级别。再往后的10nm以下节点，将分别命名为0a、0b、0c、0d，其中打头的0a工艺预计2027年底-2028年初量产(月产能超过2万块晶圆)，0d则要到2032年。
就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。
大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。
