ASML公布下一代"Hyper-NA"极紫外光刻技术发展路线图
摘要：
作为制造最先进芯片所必需的极紫外（EUV）光刻系统的全球唯一供应商，ASML 揭示了其进一步推动半导体规模化的路线图。在最近的一次演讲中，ASML 前总裁 Martin van den Brink 宣布了公司的新"Hyper-NA"EUV 技术计划，该技术将接替刚刚开始部署的 High-NA EUV 系统。
Hyper-NA工具仍处于早期研究阶段，它将把数值孔径从High-NA的0.55提高到0.75，使芯片的晶体管密度在2030年代初超过High-NA的预计极限。更高的数值孔径可减少对增加复杂性和成本的多重图案技术的依赖。
Hyper-NA 为商业化带来了自身的挑战。主要障碍包括降低成像对比度的光偏振效应，这就需要偏振滤光片来降低光吞吐量。为了保持分辨率，抗蚀材料可能还需要变得更薄。
虽然台积电等领先的超紫外芯片制造商可以利用现有的 0.33 NA 超紫外工具，通过多图案化技术将扩展范围再扩大几个节点，但英特尔已采用 0.55 高-NA 来避免这些复杂性。但是，随着High-NA达到物理极限，Hyper-NA很可能在本十年晚些时候成为整个行业的必备技术。
除了 Hyper-NA 之外，除了昂贵的多光束电子光刻技术之外，目前几乎没有其他可供选择的图案化解决方案，而多光束电子光刻技术的吞吐量又比不上 EUV 光刻技术。为了继续经典的扩展，业界可能需要最终过渡到与硅相比具有更优越电子迁移率特性的新型沟道材料，这就需要新的沉积和蚀刻能力。
