得益于Kioxia的1000层NAND计划 SSD的大规模密度提升指日可待

日本媒体 PC Watch 对 Kioxia 的预测进行了报道，该预测从过去的趋势出发，对现有的 NAND 单元技术进行了改进。该公司预计，三年后 NAND 芯片密度将达到 100 Gbit/mm²，存储单元层数将达到 1000 层。要实现这一目标，必须保持每年 1.33 倍的增长速度。

3D NAND 的层数在迅速增加，从 2014 年的 24 层增加到 2022 年的 238 层，在不到十年的时间里增加了十倍。去年，SK Hynix 甚至展示了 321 层 1 Tb TLC 4D NAND 芯片样品。

然而，要达到四位数的层数并非易事。据存储新闻网站Blocks & Files 报道，利用 3D NAND 实现更高密度并不仅仅是在芯片上增加层数。每一层都需要一个外露的边缘来实现存储单元之间的连接，从而形成一个类似楼梯的芯片外形。因此，随着层数的增加，阶梯结构所消耗的面积也会大幅增加，从而抵消了部分密度的提升。

为了弥补这一不足，存储器制造商需要在垂直和横向上缩小 NAND 单元，同时过渡到 QLC NAND，与目前的 TLC 技术相比，每个单元封装 4 位。随着层数的增加，通道电阻和信号噪声也会成为成长的烦恼。

虽然 Kioxia 对这些技术障碍提出了合理的解决方案，但在财务方面，这种积极推进的可行性仍然是一个迫在眉睫的问题。

据报道，Kioxia 的生产合作伙伴西部数据（Western Digital）对 NAND 晶圆厂成本膨胀超过收入增长表示担忧。两家公司已经发布了拥有 218 层的 BiCS 8 技术，并讨论了多达 400 多层的 BiCS 9 和 10 技术。不过，1000 层节点似乎是一个雄心勃勃的长期目标，可能会考验西部数据对大量晶圆厂投资的胃口。

Kioxia 将采取何种措施来实现其内存密度梦想，我们拭目以待。这家制造商目前正与三星公司展开激烈竞争，因此 1000 层的目标非常有利可图。与西部数据就未来 NAND 扩展节点的速度和时间进行的艰难谈判可能还在后面。