韩国研究团队开发出一种亚纳米晶体管的生长方法
摘要：
韩国基础科学研究所（IBS）的一个研究小组开发出了一种新方法，用于生长宽度小于 1 纳米的一维金属材料。他们利用这种技术为二维半导体逻辑电路创建了一种新结构，将一维金属用作超小型晶体管的栅极电极。然而，要制造出能将电子运动控制在几纳米范围内的超小型晶体管一直是个挑战。
半导体器件的尺寸取决于栅电极的宽度和效率。由于光刻技术的限制，目前的制造工艺无法将栅极长度控制在几纳米以下。为了解决这个问题，研究小组使用二硫化钼的镜像孪生边界（MTB）作为栅极电极，这种1D金属的宽度只有0.4纳米。IBS 团队通过在原子水平上改变二维半导体的晶体结构，实现了一维 MTB 金属相。
国际器件与系统路线图（IRDS）预测，到2037年，半导体技术将达到约0.5纳米，晶体管栅极长度将达到12纳米。研究团队的晶体管显示，其沟道宽度小至 3.9 纳米，超过了这一预测。
基于 1D MTB 的晶体管在电路性能方面也具有优势。与当前一些在高度集成电路中面临寄生电容问题的技术（FinFET 或 GAA）不同，这种新型晶体管由于结构简单、栅极宽度小，可以最大限度地减少此类问题。
