极紫外光刻技术获突破:可大幅提高能源效率 降低半导体制造成本

摘要:

8月2日,冲绳科学技术大学院大学(OIST)的教授新竹俊(Tsumoru Shintake)提出了一种极紫外(EUV)光刻技术。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作,从而降低成本,显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一,有助于半导体行业变得更加环境可持续。

据了解,该技术能取得突破,是因为它解决了该领域之前被认为无法克服的两个问题。第一个是仅由两个镜子组成的新型光学投影系统。第二个是高效地将EUV光直接照射到平面镜(光掩模)上的逻辑图案上的新方法,而不会阻挡光学路径。

制造用于人工智能(AI)、移动设备(如手机)的低功耗芯片,以及日常必需的高密度DRAM存储器的先进半导体芯片,都依赖于EUV光刻技术。但是,半导体生产面临的挑战包括高功耗和设备的复杂性,这显著增加了安装、维护和电力消耗的成本。正如新竹教授所说,“这项发明是一项突破性技术,几乎可以完全解决这些鲜为人知的问题。”

传统的光学系统,如相机、望远镜和常规的紫外线光刻,其光学元件(如光圈和镜头)是沿中心轴轴对称排列的,这确保了最高的光学性能和最小化的光学像差。然而,这并不适用于EUV射线,因为它们波长极短,被大多数材料吸收,无法通过透明镜头传播。因此,EUV光是通过新月形的镜子反射的,这些镜子沿光路在开放空间中以之字形反射光线。但是,这种方法使光线偏离中心轴,牺牲了重要的光学特性,降低了系统的整体性能。

这项新技术通过将两个具有微小中心孔的轴对称镜子对齐成一直线,实现了优越的光学特性。


由于EUV光的高吸收性,每次通过镜子反射时能量会减弱40%。在行业标准中,只有大约1%的EUV光源能量通过使用的10个镜子到达晶圆,这意味着需要非常高的EUV光源输出。相比之下,通过将从EUV源到晶圆的镜子总数限制为四个,超过10%的能量可以传递,这意味着即使是输出几十瓦的小EUV源也可以同样有效工作,这可以显著降低电力使用。

EUV光刻的核心投影仪,将光掩模上的图像转移到硅晶圆上,只由两个反射镜子组成,类似于天文望远镜。这种配置非常简单,因为传统投影仪至少需要六个反射镜子。这是通过仔细重新思考光学的像差校正理论实现的。

新竹俊教授通过设计一种名为“双线场”的新照明光学方法解决了问题,该方法从正面照射EUV光到平面镜光掩模上,而不干扰光路。


冲绳科学技术大学院大学已经为这项技术申请了专利,预计将通过演示实验投入实际使用。预计全球EUV光刻市场将从2024年的89亿美元增长到2030年的174亿美元,年均增长率12%,而这项专利有望产生巨大的经济效益。

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