中国长鑫存储开始量产HBM2内存 比预期大大提前

今年早些时候，Tom's Hardware 报道称，长鑫存储开始采购生产高带宽内存（HBM）产品所需的工具；通常至少需要一年（更有可能是两年）的时间才能开始量产，并达到相当的产量。CXMT 已经向美国和日本的供应商订购了设备，包括应用材料（Applied Materials）和Lam Research在内的美国公司已经获得了供应晶圆厂工具的出口许可证。

生产 HBM 是一个复杂的过程：显然，中国对存储器技术自给自足的愿望非常强烈，因此长鑫存储开始提前生产 HBM2 存储器，尽管产量尚不清楚。

HBM 因其 1024 位宽接口和相对较高的数据传输速率（HBM2 的每个引脚传输速率约为 2 GT/s 至 3.2 GT/s）而成为带宽方面的佼佼者。宽接口和垂直堆叠设计意味着生产 HBM 设备不需要最新的光刻技术，但需要足够的制造能力：HBM DRAM 集成电路的物理尺寸大于长鑫存储制造的典型商品 DRAM。事实上，全球领先的 DRAM 制造商通常使用成熟的技术生产 HBM2E 和 HBM3 产品，因此可能长鑫存储也会采用类似的技术。

然而，HBM 的生产需要先进的封装技术。使用小型硅通孔（TSV）垂直连接 8 或 12 个存储器件是一个复杂的过程。尽管如此，组装类似于 HBM 的已知良好堆叠裸片 (KGSD) 模块的难度实际上低于使用 10 纳米级工艺技术制造 DRAM 器件。

目前，长鑫存储的 HBM2 生产仍然落后于美光、三星和 SK 海力士等全球竞争对手的 DRAM 技术，因为这些公司已经开始量产 HBM3 和 HBM3E 内存，并准备在未来几年内量产 2048 位接口的 HBM4。

但总体而言，对中国而言，HBM2 是其先进 AI 和 HPC 处理器的关键技术。华为的Ascend 910 系列处理器使用了 HBM2 内存，在国内生产这种内存对中国科技行业来说是一件大事。