拜登和莫迪宣布在印度新建芯片工厂的计划
9月23日上午，据《印度商业线报》消息，美国和印度两国正在加强他们在半导体等关键技术领域的合作关系，美国总统乔·拜登和印度总理纳伦德拉·莫迪共同宣布了一项具有里程碑意义的协议——美国晶圆代工厂GlobalFoundries（GF）将在印度西孟加拉邦的加尔各答建立一个新的先进半导体制造厂，生产包括制造红外、氮化镓和碳化硅在内的半导体产品。
具体来看，这个芯片制造厂将专注于先进传感、通信以及国家安全、下一代电信和绿色能源应用的功率器件，GF计划探索与印度的长期跨境制造和技术合作伙伴关系，这将在两国创造高质量的就业机会。
报道指出，该工厂的建设将得到“印度半导体使命”的支持以及Bharat Semi、3rdiTech和美国太空部队之间的战略技术支持。
“行家说三代半”了解到，印度半导体使命（India Semiconductor Mission）是指印度政府为推动国内半导体产业发展而采取的一系列政策和措施。这些政策和措施旨在促进印度半导体产业的成长，包括吸引投资、鼓励研发、培养人才和建设基础设施等。
奥里萨邦：将建第二座SiC工厂
印度的另一个邦——奥里萨邦也在本月的政府会议上新批准了12个重要的工业项目，这些项目的实施与印度半导体使命的目标相一致；奥里萨邦政府批准了总计3927.15亿卢比的投资，其中包括新建立一个SiC工厂。
根据最新批准的提案，该工厂由Silectric Semiconductor Manufacturing Pvt. Ltd.建设，该项目将与玻璃基板制造厂项目、印刷电路板(PCB)制造项目共同投资635.55亿卢比（约53.7亿人民币），将创造2320个工作岗位。
具体来看，Silectric 将建立一条完整的碳化硅制造产线，从碳化硅晶锭到晶圆、MOSFET到模块制造及封装。该生产线将同时采用自有和代工服务模式，预计SiC外延、MOSFET及模块产能均为72000片/年。
据悉，该公司已向印度电子和信息技术部（MeiTY） 提交了申请，最终产品将用作电动汽车、汽车和可再生能源等领域。
值得一提的是，奥里萨邦还建有一座SiC晶圆厂——由美国Silicon Power的印度子公司RIR Power Electronics Ltd投资62 亿印度卢比（约5.25亿人民币）建设，该工厂已于本月初宣布奠基，主要聚焦于碳化硅器件和模块的制造、封装。
印度政府发力SiC制造 英飞凌也有意向在此地建厂？
现阶段，印度政府正在努力推动芯片制造业的发展，近日德国政府、英飞凌也与印度电子和IT部门作了相关交流，或推动后续合作——
9月3日，德国政府、英飞凌以及印度电子和IT部长 Ashwini Vaishnaw 在社交媒体上发帖，表示三方讨论了功率半导体的发展。
Ashwini Vaishnaw表示，他与英飞凌团队讨论了SiC等功率半导体的开发；英飞凌也曾于8月透露，公司正在寻求将1400个工作岗位搬迁到劳动力成本较低的国家。
