AMD Ryzen 7 9800X3D的CCD位于3D V-Cache芯片的顶部而不是底部
在 AMD 发布的 Ryzen 7 9800X3D 预告材料中，"X3D Reimagined"（X3D 重塑）这一流行语反复出现，让我们不禁猜测它可能是什么。 硬件泄密的可靠消息来源 9550pro 称，AMD 重新设计了 CPU 复杂芯片（CCD）和 3D V-cache 芯片（L3D）的堆叠方式。
在前几代 X3D 处理器（如 5800X3D"Vermeer-X"和 7800X3D"Raphael-X"）中，L3D 堆叠在 CCD 的顶部。 它堆叠在 CCD 中央区域的上方，该区域有 32 MB L3 高速缓存，而结构硅块则放置在 CCD 边缘的上方，该区域有 CPU 内核，这些结构硅块的重要任务是将 CPU 内核的热量传递到上方的 IHS。
如果泄露的信息属实，那么 AMD 将在 9000X3D 系列中倒置 CCD-L3D 堆栈，这样，"Zen 5"CCD 现在位于顶部，L3D 位于其下方，在 CCD 的中央区域之下。 现在，CPU 内核向 IHS 散热，就像没有 3D V-cache 技术的普通 9000 系列处理器一样。
我们认为他们实现这一目标的方法是扩大 L3D，使其与 CCD 的尺寸一致，并作为一种"基片"。 在 L3D 上必须铺设 TSV，将 CCD 与下面的玻璃纤维基板连接起来。 我们知道 AMD 未来的发展方向。 现在，L3D"基片"包含 64 MB 3D V 缓存，它被附加到 32 MB 片上 L3 缓存中，但在未来（很可能是"Zen 6"），AMD 可能会为每个内核的 L2 缓存设计带有 TSV 的 CCD。
这一猜测也完美解释了"X3D boost"的含义。 由于 CCD 与 IHS 的直接接触方式与非 X3D 处理器相同，因此 X3D 处理器可以拥有与普通芯片相同的超频能力。 由于散热障碍大大减少，AMD 可以继续为这些芯片提供与普通芯片相同的 TDP 和 PPT 值，以及更高的时钟速度。 过去，该公司在 X3D 处理器的 PPT 和时钟速度方面比较保守。
AMD 预计将于 2024 年 11 月 7 日推出 Ryzen 7 9800X3D。
