三星对3纳米GAA工艺的最初良率目标是70% 结果实际不到1/3
摘要：
3nm GAA工艺在推出时间上可能已经击败了台积电的3nm"N3B"变体，但如果三星不能在客户向这家韩国巨头下订单有意义的地方提高良品率，那么这将没有多大意义。 有传言称，晶圆代工厂为其第一代和第二代 3nm GAA 节点设定的良品率目标是 70%，但三星尚未达到这一门槛，这也解释了为什么三星未能为这项技术吸引到新客户 。
事实上，有传言称第二代 3 纳米 GAA 的良率非常低，甚至连预期目标的三分之一都没有达到。
yeux1122 的博客文章披露了三星第一代和第二代 3nm GAA 工艺目前的良品率，情况并不乐观。 该公司已经得到了其第一代 3nm 技术（也称为"SF3E-3GAE"）的一些表现数据，其良品率在 50%-60% 之间。 虽然这一数字更接近最初的 70% 目标，但三星仍需要达到更高水平，客户才有理由下订单购买这种光刻技术。
高通 Snapdragon 8 Elite 完全采用台积电的 3 纳米"N3E"架构进行量产的一个重要原因是三星因良率低而失去了高通的订单。 至于第二代 3 纳米工艺，良品率更差，仅为可怕的 20%，不到三星最初目标的三分之一。 在现阶段，该公司不太可能因为未能取得任何合理的进展而获得任何同情者，就连之前向三星下订单的韩国公司也转向台积电阵营，购买其更成熟的节点。
从目前的情况来看，3 纳米 GAA 技术是三星的心腹大患，这也是三星将资源和人才重点转向 2 纳米节点的原因。 此前有报道称，三星正在"SF2P"技术上开发一款未命名的 Exynos 芯片组，代号为"Ulysses"，该芯片将于 2027 年在 Galaxy S27 的一款机型上亮相。 简而言之，三星可能已经找到了另一条生命线，因此它更应该充分利用这次机会。
