黄仁勋：正在尽快认证三星AI内存芯片
摘要：
日前，英伟达CEO黄仁勋透露，英伟达正在尽快对三星电子的人工智能内存芯片进行认证。在接受媒体采访时，黄仁勋表示，英伟达正在评估三星电子的8层堆叠和12层堆叠HBM3E内存芯片，这些芯片旨在增强人工智能处理能力。
10月下旬，三星电子暗示其HBM（高带宽存储）芯片已获英伟达质量测试重大进展。但黄仁勋在本周早些时候与分析师的财报后电话会议上提到一些主要合作伙伴时，并未提及三星。
三星电子此前暗示，有可能在近期向人工智能巨头英伟达提供先进的高带宽存储器（HBM）。三星电子内存业务副总裁Kim Jae-june在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示：“目前，我们正在量产8层和12层HBM3E产品。”他说，该公司在满足“主要客户”的质量测试要求方面取得了“有意义的进展”。该客户指的应该就是英伟达。
三星电子表示：“我们正在向多个客户扩大8层和12层HBM3E芯片的销售。我们正在努力改进我们的HBM3E，以符合一家大客户的下一代GPU计划。”三星电子还表示，正在开发第6代HBM4产品，计划从明年下半年开始批量生产。
