英伟达大砍台积电先进封装CoWos订单？究竟发生了什么？

由于产品线更新，英伟达大幅削减CoWoS-S订单，或给台积电营收带来损失。

据台湾经济日报消息，近日，市场流传台积电被英伟达砍单先进封装CoWos的消息，尽管CosWoS关键供应商随后出面辟谣，但该消息一度拖累台股AI概念股集体下跌。

继周一跌逾3%后，台积电今日重拾跌势，收跌2.29%，抹去年内全部涨幅。

野村证券分析师Aaron Jeng等也在13日发布的研报中证实，根据行业调查，英伟达已大幅削减其在台积电和联电的CoWoS-S订单，产能削减幅度高达80%。

英伟达缘何砍单？

天风证券分析师郭明錤也发文表示，由于英伟达在最新的Blackwell架构蓝图中重新定义了生产线，导致其至少未来一年对CoWos-S的需求将显著降低。

具体而言，随着Hopper芯片停产、GB200A芯片需求有限和GB300A需求缓慢，对应的CoWoS-S产能被释放，英伟达因此大幅削减2025年的CoWoS-S订单。

摩根士丹利分析师Charlie Chan等在其报告中表示，考虑到CoWoS-L的性能表现更好，英伟达要求台积电转而运用CoWoS-L工艺进行部分GB300A的生产。

根据材料、性能和应用场景等具体需求，台积电将CoWoS封装技术分为三种类型——CoWoS-S（Silicon Interposer）、CoWoS-R（RDL Interposer）以及CoWoS-L（Local Silicon Interconnect and RDL Interposer）。

三者主要的区别在于：

CoWoS-S：使用硅中介层，具有高密度I/O互连，适合大规模集成电路；成本较高，通常用于对性能要求极高的应用；支持高带宽和低延迟，适合高性能计算和数据中心应用。

CoWoS-R：使用RDL中介层，具有设计灵活性，可支持更多芯片连接。成本较低，适合大规模生产和应用；提供良好的信号和电源完整性，适合中等性能需求的应用。

CoWoS-L：使用局部硅互连和RDL中介层，克服了大尺寸硅中介层良率低的问题，同时保留了亚微米级铜互连与嵌入式深沟电容器的优势，成本介于CoWoS-S和CoWoS-R之间；支持高性能和灵活连接成本。

大摩预计，尽管英伟达订单缩减，但台积电总体的CoWoS需求没有改变，预计其今年的GB300A产量会有小幅上涨。

野村则持相反观点，预计英伟达的CoWoS-S订单将减少5万片/月，可能会给GB200A甚至GB300A的需求带来负面影响，或给台积电营收造成1%-2%的打击。

不过，该行仍看涨台积电，预计今年AI的收入贡献将超过20%，继续驱动公司营收增长。