报告认为 SK hynix 正在开发高能效 "LPDDR5M"内存
摘要：
据韩国 Money Today 报道，SK hynix 目前正在开发 LPDDR5 的另一种变体。 这家 DRAM 和闪存芯片的大型供应商公开披露了其 LPDDR5 Turbo (T) 设计，该设计可追溯到 2023 年底，该迭代产品被宣传为"世界上最快的移动存储器标准"。
LPDDR5T (10533) 的首次公开演示是在去年二月的 IEEE 固态电路大会上进行的。 目前，人们熟悉的 LPDDR5X 标准在商业渠道中非常普遍。
业内人士认为，与目前的产品（X：1.05 V）相比，尚未公布的 LPDDR5M 标准工作电压更低（据称为 0.98 V）。 鉴于其缩写词 "低功耗双倍数据速率"（Low Power Double Data Rate）的性质，这种内存类型最初设计时考虑的是高效运行，是移动应用的理想选择。
一位业内人士指出，公司内部讨论强调了一个关键的百分比差异： "在最高速度下，LPDDR5M 的能效比 LPDDR5X 高出约 8%"。 最近的 Money Today SK 相关新闻报道提到，旧的 LPDDR4 标准被公司领导层归类为 "传统产品"。 相比之下，LPDDR5 变体（据称）被归类为 "高附加值产品"。
内存行业观察家认为，LPDDR5M的传闻是SK hynix战略的强化（和多样化），SK hynix的战略已经包括LPDDR5X和LPDDR5T。 消息称，LPDDR5M 存储器注定会出现在具有板载人工智能功能的下一代智能手机设备中。
