台湾将加强对台积电先进芯片出口和海外投资的管控

新措施的核心是所谓的“N-1”规则，该规则禁止企业出口其最先进的半导体制造技术。相反，只有比国内技术落后至少一代的技术才能在海外工厂部署。

行政院长卓荣泰确认了这一政策，这将直接影响台积电在美国的扩张计划，并确保该公司的最新创新成果留在台湾境内。

此前，台湾法规并未明确限制先进半导体制造工艺的出口。新规载于修订后的《产业创新条例》第22条，预计将于2025年底生效。

政府的意图很明确：面对日益加剧的地缘政治紧张局势和半导体领域的全球竞争，保持台湾的技术优势并维护国家安全。

行政院长卓荣泰

台积电目前凭借其 N3P 工艺节点引领行业，但其计划在今年年底前开始采用其下一代 N2 工艺节点生产芯片。展望 2026 年末及以后，该公司预计将推出两款旗舰节点：专为客户端应用设计的 N2P 以及具有先进供电技术以实现高性能计算的 A16。

然而，目前还不清楚哪些节点将被归类为“旗舰”并因此受到出口限制，或者政府是否会在引入更新的技术时同时对多个节点实施禁令。

修正案还授权有关部门在海外投资威胁国家安全、损害经济发展、违反国际协议或导致劳动争议无法解决的情况下，有权拒绝或撤销此类投资。该法现已将这些限制正式化，将其从子法规提升为成文法，并对违规行为规定了明确的处罚措施。

根据修订后的规定，未经事先批准进行海外投资的公司可能面临5万至100万新台币（约合3.08万美元）的罚款。屡次违规或严重违规，例如在获得批准后未能解决国家安全或经济发展风险，可能面临最高1000万新台币（约合30.8万美元）的罚款。

虽然这些处罚金额巨大，但不太可能阻止台积电等主要企业，台积电已宣布计划向其美国业务投资 1650 亿美元。

经济部表示，该法实施日期将待法规进一步修订后再行确定，预计最早不早于2025年底实施。