传高通骁龙8 Elite Gen 2的Galaxy独占型号将采用三星2nm GAA节点工艺
行业监管机构认为，三星的代工业务因所谓的良率问题而失去了几位关键客户——这家韩国巨头似乎正在努力改进目前正在研发的制造工艺，即2纳米GAA（又名SF2）。半导体业内人士认为，台积电凭借其最近完成的2纳米设计试运行仍然处于领先地位，但有关价格上涨的传闻据报道已令一些重要客户感到不安。
据Sedaily的一篇新报道，高通已与三星代工厂高层展开谈判——半导体行业内部人士声称，“骁龙8 Elite第二代产品”是双方讨论的主要议题。此前，这款下一代旗舰移动芯片组曾被传将采用台积电的3纳米工艺，但新的传闻指出，该公司可能将分拆出一家采用“更先进的2纳米工艺”的公司——该工艺由三星电子位于华城的顶级工厂“S3 ”生产。
Sedaily 和 Jukanlosreve 估计，这款尖端芯片将于明年初开始量产。
今天早些时候，Jukanlosreve 通过一篇长篇社交媒体公告补充了更多推测/背景信息：“预计完成的芯片将集成到定于 2026 年下半年推出的三星 Galaxy 智能手机中。设计工作将于 2025 年第二季度完成，之后将开始量产准备，晶圆生产将于 2026 年第一季度开始。预计产量约为每月 1000 片 12 英寸晶圆。鉴于三星目前的 2 纳米产能约为每月 7000 片晶圆，该项目仅会利用其可用产能的 15% 左右——这表明这只是一笔小额订单，而非大规模订单。”
这些预测令许多行业观察人士感到意外；三星领导层似乎已试图在未来的旗舰 Galaxy 智能手机设备中优先自家 Exynos 移动处理器的设计。 Jukanlosreve 认为，鉴于三星代工厂过去五年业绩不佳，该公司渴望抓住任何新的“黄金机遇”。
一位不愿透露姓名的内部人士认为：“与高通的合作可能为其带来其他大型科技公司的订单。” Sedaily 就最新的内部谈话向三星总部发出了询问，一位公司发言人回复道：“我们无法确认任何与客户订单相关的信息。”
