SK Hynix 推出 321 层 UFS 4.1 比上一代更快、更薄、更高效
摘要：
内存制造商 SK 海力士宣布推出全球首款适用于智能手机的 321 层 UFS 4.1 TLC NAND 闪存，它速度更快、效率更高、体积更小，非常适合注重轻薄机身和 AI 工具的下一代手机。
与 2022 年推出的上一代产品（采用 238 层设计）相比，这些新型存储芯片的随机读取速度提高了 15%，随机写入速度提高了 40%。对于连续读取，其接口最高速度可达 4.3GB/s。
除此之外，NAND 封装厚度从 1 毫米降至 0.85 毫米。这听起来似乎不多，但如果像 Galaxy S25 Edge 这样的手机能够流行起来，那么每一点改进都会带来好处。
除了最近的趋势之外，新的 321 层 UFS 4.1 设计比上一代节能 7%——更少的热量和更高的性能始终是趋势。
SK 海力士表示，顺序读取速度将提高设备上的 AI 性能（因为它将加快将模型加载到 RAM 的速度），而改进的随机性能将促进多任务处理。
该公司将提供两种容量的存储产品——512GB 和 1TB。没错，不会有 256GB 版本，所以在选择下一部手机时，这一点需要注意（就像现在 128GB 机型使用 UFS 3.1 一样）。
SK海力士表示，预计今年这款产品将赢得智能手机制造商的订单，并将于明年前三个月开始批量出货。不仅仅是智能手机，该公司还致力于为消费者和数据中心设计 321 层 SSD。
