SK海力士启动10亿DRAM试产 同时与客户协商价格调整事宜
摘要：
SK海力士（SK Hynix）正在其清州M15X工厂安装一条全新的1b DRAM试生产线，以应对不断攀升的高带宽存储器（HBM）需求。据The Bell消息，设备安装计划于今年11月完成，试生产线初期预计月产能达到一万片晶圆。
业内分析指出，面对人工智能带动的存储器市场扩张，SK海力士和美光（Micron）选择1b DRAM架构作为技术路线，而三星则专注于面向HBM4应用的1c DRAM技术。各大厂商策略分化，凸显抢占AI存储市场份额的紧迫性。
另一方面，存储器价格调整已成行业普遍现象。TrendForce援引SeDaily和Business Korea消息称，SK海力士目前正在与客户洽谈价格，但尚未有正式公告，公司正根据市场趋势动态调整售价。美光本月初率先通知渠道伙伴DRAM价格将上涨20%至30%；随后，三星也告知主要客户第四季度DRAM合同价格（包括LPDDR4X及LPDDR5/5X等型号）将提高15%至30%。NAND产品涨价同样明显，合同价格方面，eMMC与UFS预计上涨5%至10%。
TrendForce预测，随着QLC SSD产能持续攀升，企业级SSD供应链在2026年可能出现紧张态势，AI推理类应用有望将强劲需求延续至2027年。更多详情可参见TrendForce、Se Daily、Aju News与Business Korea的相关报道。
