英特尔：18A工艺已大规模量产 晶体管密度提升30%

据悉，该工艺采用全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术，实现了能效与密度的双重进步。和上一代制程工艺相比，18A工艺在相同能耗下性能提升15%，晶体管密度提升30%。

英特尔方面表示，该技术是英特尔下三代技术的基石，公司正基于该技术快速推进下面几代产品的研发。