据称三星正推进 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开发
摘要：
据韩国媒体报道，三星半导体正推进一项针对高带宽内存（HBM）的全新 2 纳米工艺项目，计划为不同客户需求开发定制化 HBM 逻辑芯片。 报道引述业内人士称，尽管具体客户名单尚未披露，但三星 HBM 开发团队已经着手为下一代产品预研使用“先进至 2 纳米”的晶圆代工制程，为未来数代 HBM 解决方案奠定基础。
目前尚不清楚该计划最终将采用三星自家代工体系中的 SF2 还是 SF2P 等 2 纳米节点。
现有信息显示，三星的第六代 HBM 产品线（HBM4）预计将基于 4 纳米制程，外界普遍推测来自 SF4 家族节点。 一位不愿具名的公司内部人士透露，三星电子正在系统 LSI 事业部下去年新成立的定制 SoC 团队主导下，为 HBM 设计定制逻辑芯片，并构建覆盖 4 纳米到 2 纳米的工艺组合，以响应不同客户的多元化需求。
业界分析认为，面向未来的超高性能 AI 加速器将高度依赖性能与带宽更为前沿的 HBM 模组。 随着 2 纳米逻辑芯片真正落地，企业级 AI 市场被寄望会出现“强劲”需求增长，这一时间点很可能要等到第七代产品 HBM4E 之后，即 2027 年以后。
