长鑫存储迈入LPDDR6风险量化阶段 推出12.8Gbps新一代内存芯片
摘要：
中国半导体巨头长鑫存储（CXMT）已正式进入最新一代LPDDR6内存的风险量产阶段。这一重大进展标志着长鑫存储在芯片制造工艺和技术演进方面，已与三星、SK海力士以及美光等国际业内巨头站在了同一梯队。
首批由长鑫存储晶圆厂生产的LPDDR6内存芯片基础速率为10.7 Gbps，最高运行速度可达12.8 Gbps，一举接棒此前极速状态下仅能达到10.7 Gbps的LPDDR5X标准。在规格参数上，长鑫存储本次量产的单颗芯片容量为16 Gb（相当于2 GB），内部集成约1295个球栅阵列引脚，采用适用于移动设备的POP（Package-on-Package）封装形式。
当前阶段的生产主要用于向客户送样验证，随后将迎来正式的风险量产。鉴于长鑫存储在产能建设与工程推进效率上的行业领先优势，预计在风险量产启动后的数周或数月内，即可全面转向大规模量产（HVM）。
相比之下，韩国内存巨头SK海力士此前曾宣布其LPDDR6模块将基于第六代10nm级（1c）工艺打造，最高速率可达14.4 Gbps。虽然各家厂商的产品在速度极限上略有出入，但均完全符合JEDEC（固态技术协会）制定的LPDDR6官方标准规范。随着制造工艺与技术规范的持续成熟，未来市场还将迎来更高性能的内存产品。
