铠侠与闪迪联合发布第十代332层QLC闪存 接口速率突破4.8 Gb/s
铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）今日联合对外发布了新一代四层单元（QLC）3D闪存技术。相比于两家公司上一代的第8代产品，新一代技术实现了高达60%的比特密度提升，密度超越37 Gb/mm²，在存储密度、传输性能以及能效表现上均树立了行业新标杆。
本次发布的新一代闪存采用了两家公司核心的CMOS直接键合至阵列（CBA）技术。该技术分别在独立的晶圆上制造CMOS逻辑电路与存储阵列，随后通过高精度的晶圆对晶圆对齐技术进行键合。得益于这一架构优化，第10代产品显著提升了读取与写入带宽，并成为全球首款接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存。
在物理架构与传输协议方面，第十代QLC 3D闪存采用了332层设计及优化的版图布局；在Toggle DDR6.0与独立命令地址（SCA）协议的加持下，成功释放了高速接口的潜能。同时，新引入的电源隔离低抽头终端（PI-LTT）技术有效改善了I/O数据输出传输的功耗表现，直接缓解了现代人工智能及云端基础设施所面临的能效与散热挑战。
铠侠首席技术官宫岛英史（Hideshi Miyajima）表示，随着人工智能从生成式AI向智能体AI及物理AI拓展，数据的应用场景正在变得日益多元化与复杂化。QLC技术能够高效存储激增的数据量，为AI系统提供更强的性能与扩展性，铠侠正加速推动第十代QLC闪存产品的商业化进程。
闪迪首席技术官阿尔珀·伊尔克巴哈尔（Alper Ilkbahar）指出，AI训练、推理及超大规模数据中心的工作负载带来了前所未有的数据增长压力，存储行业亟需提供更大容量、更高性能与更佳能效的解决方案。第十代QLC 3D闪存重新定义了QLC NAND的性能与效率上限，在密度、带宽和能效上实现了多维度的同步提升，为下一代基础设施应用奠定了可扩展的基础。
