三星确认HBM4E单针速率将达16Gbps 单堆栈带宽有望突破4TB/s
摘要：
在Hot Chips 2026大会的预告议程中，三星电子相关负责人Sangwook Han确认，公司正准备推出单针传输速率达到16Gbps的HBM4E高带宽存储器产品。
这一进展被视为三星半导体业务在高带宽存储器技术推进上的重要信号。自今年5月底以来，三星已开始供应单针速率为14Gbps的HBM4E产品；如今确认向16Gbps迈进，意味着其产品性能扩展和制程推进正按计划进行。作为对比，三星目前供应的HBM4产品单针速率为11.7Gbps，HBM4E在传输速度上实现了明显提升。
以目前的14Gbps规格计算，单个HBM4E堆栈配备2048个引脚时，理论最高带宽可达到3.6TB/s。若单针速率提升至16Gbps，单堆栈最高带宽将进一步增至4TB/s。考虑到一颗AI加速器或高性能GPU通常可能搭载约12个HBM堆栈，整套显存子系统可提供的总带宽将达到相当可观的水平，为大模型训练、推理及高性能计算等对数据吞吐要求极高的场景提供支撑。
容量方面，三星目前可提供12层堆叠的HBM4E产品，单堆栈容量为48GB。面向后续客户需求，公司还计划推出8层、32GB版本，以及16层、64GB版本，以覆盖不同AI计算平台和封装方案的容量配置需求。
在制造技术上，三星HBM4E采用经过DRAM优化的第六代10纳米级工艺，并通过多层堆叠构建高带宽存储结构。此外，HBM4E还将搭载基于三星4纳米SF4工艺打造的定制化基础裸片，以适配客户在不同先进封装方案中的集成需求，并改善产品的灵活性与匹配度。
