英特尔拿下SK海力士：EMIB先进封装有望导入下一代HBM产品
摘要：
英特尔代工业务再传新进展，全球主要存储器厂商SK海力士有望成为英特尔EMIB先进封装技术的客户，并将其用于下一代高带宽内存（HBM）产品的整合。在Hot Chips 2026大会上，SK海力士表示，正与台积电合作，将HBM内存导入CoWoS-L、CoWoS-S及CoWoS-R等先进封装平台；与此同时，英特尔EMIB也被纳入其下一代封装整合方案。
随着HBM4等新一代产品的发展，内存接口引脚数预计将由约1024个提高至2048个，硅通孔（TSV）数量也将随之上升，对封装互连和系统集成能力提出更高要求。
SK海力士认为，面向先进AI加速器的下一代存储器，需要结合2.5D封装、混合键合及3D DRAM整合等多项技术，才能实现更高带宽、更大容量和更复杂的芯片间连接。由此，先进封装已成为推动HBM持续演进的关键组成部分。
随着更多客户希望降低对台积电CoWoS平台的依赖、实现供应链多元化，英特尔EMIB产品组合的吸引力正在提升。其中，EMIB-T尤其受到关注。该方案引入TSV技术，可在多颗堆叠芯片之间实现垂直供电，契合SK海力士针对3D内存模块提出的封装级垂直供电构想。
成本也是英特尔封装方案的重要卖点。此前消息显示，EMIB-T与台积电CoWoS之间的成本差距最高可达到50%，具体取决于方案是否需要使用价格高昂的中介层。较低的封装成本可让客户将更多资金投入其他生产环节。
对于SK海力士而言，若其客户借助EMIB-T降低封装成本，节省下来的预算便有机会投入更多HBM采购，从而转化为更高的产品需求和营收。这一合作若顺利推进，不仅将为SK海力士拓展下一代HBM市场提供助力，也可能成为英特尔代工业务在先进封装领域争取更多外部客户的重要进展。
