长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
摘要：
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。
长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产阶段。
虽然长鑫存储尚未公布其HBM3E内存的具体规格，但根据JEDEC标准，该产品应采用1024-bit位宽，单引脚传输速率介于9.2 Gbps至12.4 Gbps之间，大多数标准配置的目标速率为9.6 Gbps。其总带宽约为1.2 TB/s，容量则可根据堆叠方式不同有所变化：采用8层堆叠时容量为24 GB，采用12层堆叠时容量为36 GB，均基于单层24 Gb的DRAM芯片。
鉴于长鑫存储从风险试产推进至量产的速度较快，其HBM3E产品或许只需数周便能进入大规模制造阶段。
此外，长鑫存储在洁净室建设速度方面表现突出，其晶圆厂洁净室仅需约12个月即可建成，而其他厂商通常需要两年左右。目前，长鑫存储运营着多座生产设施，其中包括位于合肥和北京的两座12英寸晶圆厂，每座月产能约为10万片。因此，公司当前的总产能约为每月20万片晶圆。
未来，随着上海和合肥的相关工厂建成并全面投入运营，长鑫存储计划将月产能提升至约60万片，相当于当前水平的三倍。不过，目前尚不清楚其中有多少产能会用于生产HBM内存。
由于生产一枚HBM内存堆栈需要使用多颗DRAM裸片，如果HBM需求持续增长，长鑫存储将更多资源投入HBM生产，普通DRAM内存的供应情况可能不会因此得到明显改善。
