报告称中国已储备343台浸没式DUV光刻机 或具备持续推进7纳米芯片生产能力

该报告由美国华盛顿智库“技术与治国方略中心”（Centre for Technology & Statecraft，CTS）发布。报告估算，截至2026年初，中国企业控制的晶圆厂累计拥有约343台浸没式深紫外（DUV）光刻机，不包括跨国企业在中国境内运营晶圆厂所持有的设备。

报告认为，中国半导体产业过去数年积极采购芯片制造设备，尤其是在美国不断加强出口限制的背景下，相关采购活动明显加快。大量设备在限制进一步升级前完成交付，为中国先进制程扩产提供了基础条件。

根据研究数据，这343台设备中约有270台为ASML的Twinscan NXT:1980i浸没式光刻机。这款设备具备38纳米分辨率以及2.5纳米级套刻精度，被认为能够通过多重曝光技术实现7纳米级逻辑芯片制造。此外，中国企业据称还拥有22台NXT:2050i以及6台NXT:2000i系统。

研究人员指出，虽然这些设备无法与EUV光刻机相提并论，但在缺乏EUV供应的情况下，浸没式DUV仍能够承担先进制程生产任务。通过增加曝光步骤和采用更复杂工艺流程，制造商依然有机会生产7纳米级芯片以及部分先进存储器产品。

报告认为，当前出口管制存在一个重要漏洞，即许多原本用于成熟制程生产的DUV设备，未来可以被调往更先进的生产线使用。虽然这种方式会增加制造成本和工艺复杂度，但在无法获得EUV设备的情况下，仍是一种可行选择。

基于这一判断，CTS建议进一步扩大限制范围，不仅限制先进EUV设备，还应禁止向中国出口所有浸没式DUV光刻机，同时限制已部署设备所需的备件供应和维护服务。该建议与美国今年4月提出的MATCH法案部分思路一致。

报告同时承认，目前尚不明确已向中国交付的先进DUV设备究竟有多少处于实际运行状态。不过研究人员认为，即便部分设备尚未完全投入生产，现有装机规模已经构成不可忽视的先进制造能力基础。

公开数据显示，荷兰政府于2023年9月开始对ASML的NXT:2000i及更先进浸没式DUV设备实施出口许可制度，相关产品实际上已无法继续向中国交付。此后，限制措施进一步扩大至更多先进型号。

研究还提到，中国企业在2024年和2025年持续大规模采购NXT:1980i设备，两年分别新增约90台和89台，累计采购金额超过130亿美元。同期，中国市场在ASML全球销售中的占比也维持在较高水平。

支持进一步收紧限制的人士认为，这些设备未来可能继续推动中国先进芯片制造能力增长，并为人工智能芯片等产品提供生产基础。因此，美国部分政策制定者正在寻求关闭这一被视为“DUV漏洞”的供应渠道。

不过也有分析指出，即便未来全面停止新增设备出口，中国企业已经积累的大量设备库存短期内不会消失。因此，对于先进芯片产业而言，未来竞争焦点不仅在于能否获得新设备，也在于现有设备能否持续获得维护、升级以及长期运行支持。

随着全球半导体产业竞争持续加剧，浸没式DUV光刻机正在成为继EUV之后新的战略焦点，而围绕相关设备出口、维护和服务体系的博弈，也可能成为未来数年国际半导体产业的重要议题。