SK海力士450亿美元纽约建厂计划遭遇阻碍 扩产融资陷入两难

这场围绕芯片设备出口许可的谈判，正在使韩国企业陷入一个复杂的政策困境：美国政府一方面要求海外半导体企业加大在美国本土的投资，另一方面又限制这些企业向中国工厂提供先进制造设备。SK海力士希望利用中国市场和现有生产设施创造资金，再将部分收益投入美国制造业，但美国出口管制政策正在影响这一资金安排。

此次美国投资计划主要由SK海力士旗下的美国子公司Solidigm负责推进。Solidigm计划在纽约州马西（Marcy）建设两座NAND闪存工厂，初期投资规模约为450亿美元。如果后续项目进一步扩大，长期投资总额可能达到1000亿美元。

NAND闪存是断电后仍能保存数据的非易失性存储芯片，广泛应用于固态硬盘、服务器和数据中心。随着人工智能基础设施建设持续扩大，数据中心对高容量固态存储设备的需求不断增长，全球NAND市场也因此面临供应趋紧的局面。对于SK海力士而言，扩大NAND产能不仅关系到企业市场份额，也关系到其在AI数据中心供应链中的竞争地位。

然而，要推动纽约工厂项目，SK海力士希望首先扩大其大连工厂的生产能力。知情人士透露，公司已经向美国政府申请相关出口许可，希望将更多美国制造的芯片生产设备运往大连，用于填充此前已经建成、但尚未完全安装设备的洁净厂房空间。

这座大连工厂拥有一处名为Mod B的生产区域，相关厂房早在2023年便已建设完成，但由于当时全球存储芯片市场处于低迷周期，SK海力士没有完成全部设备安装。如今NAND市场需求重新旺盛，公司希望利用这部分闲置空间扩大生产。

SK海力士的理由是，扩大大连工厂产能能够增加收入，为纽约新工厂提供资金来源，同时帮助企业维持全球市场竞争力。知情人士称，美国商务部尚未正式拒绝填充大连空置洁净厂房所需设备的出口申请，但审批迟迟没有完成。

问题在于，美国政府对向中国出口半导体制造设备的政策已经明显收紧。美国商务部此前撤销了SK海力士和三星电子在中国工厂使用美国设备的部分便利安排，要求企业改为逐年申请出口许可证。美国政府表示，可以通过许可证维持现有中国工厂的正常运营，但并不希望这些企业借此扩大中国的芯片制造产能或升级技术。

知情人士透露，SK海力士美国子公司Solidigm的高管自今年8月底以来，已经与美国商务部官员进行了接近10次会谈。在最近一次会谈中，美国商务部副部长Jeffrey Kessler仍坚持不允许通过新增美国设备升级或扩大中国工厂产能的立场。不过，针对大连工厂空置洁净空间的设备申请，目前仍未被正式否决。

双方还在讨论另一项2027年度出口许可，以确保大连工厂能够继续获得维持现有生产所需的设备。这意味着SK海力士面临的不仅是扩产问题，还包括未来几年如何持续维护中国工厂正常运营的问题。

这场谈判也使特朗普政府面临政策上的两难。一方面，华盛顿希望通过吸引海外芯片制造商赴美投资，重建美国本土半导体制造能力，创造就业机会；另一方面，美国又希望严格限制先进芯片制造技术流向中国，避免相关技术被用于中国的军事和人工智能产业。

美国中国经济与安全审查委员会成员Leland Miller表示，最终这些项目能否推进，离不开白宫的批准。美国政府必须在国家安全限制与吸引外国投资之间作出权衡。

对纽约州而言，项目审批同样存在时间压力。当地官员希望美国政府能够在未来几周内明确相关许可问题，因为一项联邦投资税收抵免政策将在2026年底到期。如果项目无法及时推进，企业可能错过部分税收优惠，进而影响投资安排。

Solidigm此前在回应媒体询问时表示，公司一直在评估不同的战略方案，以增强长期竞争力，目前正在研究在全球不同地点建设NAND工厂的可能性，但尚未就任何具体选址或建设方案作出最终决定。SK海力士则没有立即对路透社的最新报道作出回应。

值得注意的是，SK海力士并非只考虑纽约一个美国投资项目。公司此前已经与英特尔就租用俄亥俄州芯片工厂部分设施展开讨论，同时还在美国印第安纳州建设一座先进封装工厂，重点服务于高带宽内存（HBM）业务。

如果纽约两座NAND工厂最终落地，将成为美国近年来规模最大的半导体投资项目之一。但目前来看，项目能否推进，不仅取决于资金、市场需求和厂房建设，更受到美国对华半导体设备出口政策的直接影响。

这起事件反映出全球半导体产业链正在面临一种新的现实：跨国芯片企业越来越难以将中国生产基地与美国投资计划完全分开。对于SK海力士而言，大连工厂不仅是现有NAND业务的重要组成部分，也可能成为其筹集美国投资资金的关键来源；而美国政府是否允许这种安排，将直接影响其未来的全球产能布局。