三星、SK海力士争抢EUV交付配额 加码先进DRAM扩产

据悉，两家企业计划从明年起分批接收阿斯麦的EUV设备。SK海力士曾在3月披露，将采购价值约11.95万亿韩元的EUV设备，交付截止日为2027年12月31日。受供给紧张影响，核心设备交付周期已经拉长至原先最长周期的两倍，两家企业正考虑提前下单；后续还视情况追加订单，资本开支进一步上行的可能性抬升。

三星电子同步加码订单，匹配其平泽基地投资节奏。去年11月，三星公布五年450万亿韩元本土投资方案，其中包含平泽P5产线，目标2028年投产。据悉单座P5晶圆厂投资规模超60万亿韩元。行业预期，P5一期洁净室工程于明年上半年完工后，设备将陆续进场；三星已经为这条产线下单光刻设备。

EUV光刻机依靠13.5纳米波长光源刻蚀电路，可以减少过去依靠多次曝光拆分图形、提升精度与良率的多重图形化工序。对于10nm级第六代（1c）这类先进DRAM，随着电路间距持续缩小，采用EUV的工艺层数不断增加。集邦咨询（TrendForce）称，SK海力士计划在1c DRAM上超过5层工艺使用EUV，较上一代增加两层。

阿斯麦在今年三季报中表示，当前规划下2027–2028年EUV供给无法满足客户需求。今年EUV出货量约65台，较去年44台增长近50%；但即便2027年产能提升30%、2028年再规划扩产30%，供给依旧不足。核心产品涨价的影响将于明年逐步体现，2028年充分显现；今年三季度，存储客户已经占到阿斯麦整机销售额的46%。

依托EUV设备的下一代DRAM量产工艺已取得一定程度稳定。三星早在2020年3月出货业内首款采用EUV的DRAM模组，积累相关工艺经验，目前是存储行业拥有EUV设备数量最多的厂商。SK海力士2021年2月在利川M16工厂落地首台EUV设备，并于去年9月引入业内首台高数值孔径（High-NA）EUV量产机台。三星在9月8日宣布扩大和阿斯麦合作，计划2028年把High-NA EUV导入DRAM量产。

与此同时，后端设备厂商订单储备已经排满两至三年。业内消息称，韩美半导体（HANMI Semiconductor）、安靠（Amkor）订单储备基本到位。两家正在扩产AI数据中心所需的关键工艺设备，包括热压键合机（TC bonder）。一名半导体行业人士表示：“AI数据中心芯片，不只是先进前段工艺重要；为实现大容量、高性能，对单颗芯片做多维度封装互联的后端工序价值持续提升。随着生态成型，韩美半导体、安靠也和前段大厂的景气周期深度绑定。”