尔必达公司近日宣布完成了基于其新65nm XS（extra-shink）制程1Gb DDR3内存芯片产品的开发工作，并称使用这种新制程技术制作出的内存芯片
在制作成本方面要比现有的50nm制程内存芯片更低。当
应用在300mm尺寸晶 圆上时，这种65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年开发完成)的产出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以进一步缩小芯片的尺寸之外，还可以显著减小厂方在制造设备上的费用投资。
这种65nm XS制程技术的1Gb DDR3内存芯片面向的主要是PC/服务器市场，
预计明年一季度可投入量产。
CNBeta编译
原文：tcmagazine
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