Intel-镁光联盟曾一度在NAND制程竞赛中占据领先地位，他们抢先推出了基于34nm制程的NAND闪存芯片产品。不过今年4月份，东芝公司凭借自己的32nm制程产品超越了Intel-镁光联盟。
今年八月份，NAND业界则又开始了新一轮的3位元NAND技术竞赛，Intel-镁光联盟抢先宣布其34nm制程三位元NAND芯片。不过本月早些时候，韩国三星电子公司则宣布开始量产30nm制程三位元MLC NAND芯片产品，这种芯片产品的存储密度可达32Gb（内部存储单元共4G个，每个存储单元可存放3位数据）.
现在Intel-镁光联盟开始推进NAND闪存的2xnm制程，不过根据iSuppli的统计数字表明：三星在NAND市场上的市占率仍为最高，而东芝则正在威胁其位置，至于Intel则仍然在市占率方面排在两者的后面。
CNBeta编译
原文：eetimes
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