
消息来源还表示,目前已经有部分台系内存模组厂商从这家韩国厂商那里取得了这种三位元型MLC NAND闪存芯片的样品,目前他们正在与控制器厂商一起测试这种新的芯片产品。这些厂商预计将在明年第一季度开始在终端产品中使用这种新芯片。
此前有关的报道曾指出,明年70-80%基于传统两位元型MLC NAND闪存的入门级闪存产品以及闪存卡产品将被基于三位元型MLC NAND闪存的产品所代替。
CNBeta编译
原文:digitimes
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