这款内存芯片产品的数据传输率可达1066Mbps，并将以小型封装（如MCP/POP封装形式）的形式进行供货。
Hynix宣称这款芯片产品采用了44nm制程技术制作，工作电压仅1.2V，位宽为32位的配置条件下，使用这种芯片的内存系统带宽可达4.26GB/s。另外，这种芯片的耗电量也比前代产品下降了50%左右。
CNBeta编译
原文：digitimes
Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2内存芯片产品开发完成，上半年量产
发布日期:2010-01-13 17:59:48
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韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。
这款内存芯片产品的数据传输率可达1066Mbps，并将以小型封装（如MCP/POP封装形式）的形式进行供货。
Hynix宣称这款芯片产品采用了44nm制程技术制作，工作电压仅1.2V，位宽为32位的配置条件下，使用这种芯片的内存系统带宽可达4.26GB/s。另外，这种芯片的耗电量也比前代产品下降了50%左右。
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这款内存芯片产品的数据传输率可达1066Mbps，并将以小型封装（如MCP/POP封装形式）的形式进行供货。
Hynix宣称这款芯片产品采用了44nm制程技术制作，工作电压仅1.2V，位宽为32位的配置条件下，使用这种芯片的内存系统带宽可达4.26GB/s。另外，这种芯片的耗电量也比前代产品下降了50%左右。
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