韩国三星电子公司近日表示本月24日下午，其设在Kiheung地区的一个NAND闪存生产基地遭遇了断电事故，不过据三星公司的发言人表示这次为期一小 时的断电并没有对其32Gb以及其它大容量NAND闪存芯片的生产造成显著影响。据三星的通路合作伙伴透露，在这次停电事故中受到影响的工厂主要包括三星旗下两间12英寸厂Fab13和Fab14.其中Fab13主要负责为三星生产内存芯片，而Fab14则主要生产NAND闪存芯片。Fab13和Fab14的月产能大约分别是12万/13万片晶圆。

无独有偶，2007年该处生产基地也曾经遭受过一次严重的停电事故，那次事故中，三星有六条设在当地的产线曾被迫关闭，其NAND闪存产品的产量也受到了较大的影响。

据DRAMeXchange报道，目前1Gb内存芯片的价格仍在保持上扬的态势，品牌和经过充分测试的1Gb DDR3内存芯片的价格25日早上已经达到3美元的价位，而同等密度的DDR2芯片价格则上涨到了2.99美元。

至于NAND闪存部分，高密MLC闪存芯片的现货价格25日早上的价位则保持在较为稳定的状态，其中32Gb/64Gb容量的NAND闪存芯片现货价格分别为7.04美元和15.34美元。

CNBeta编译
原文：digitimes