据台湾力晶公司董事长黄崇仁表示，力晶公司将于今年下半年开始正式上市40nm NAND闪存芯片产品，他并表示力晶的闪存业务将瞄准高端和客户定制市场。力晶此前与瑞萨公司签订了技术授权协议，此举大大增强了力晶在闪存技术方面的实 力。过去，力晶公司的闪存芯片产品主要以70nm制程为主，不过近期公司已经成功开发出了50nm制程技术的8Gb NAND闪存芯片产品。 力晶公司去年曾积极争取获得台当局“拯救内存计划”的资金支持，如果争取成功，那么当局将会向力晶资助45亿新台币的资金，后者则可将这笔资金用于兴建新的NAND闪存公司，不过这项计划最后因遭“立委”反对而胎死腹中。

至于内存芯片产品部分，黄崇仁表示，力晶公司正在转向使用63nm制程，这种新制程可降低内存芯片20%的成本。不过黄同时也表示，力晶何时能够完成内存芯片制造技术向45nm制程的转换，则需要根据他们向ASML公司订购的沉浸式光刻机何时能够到货而定，他并表示目前订购的这种光刻机其交货期已经被后延。

黄崇仁同时还表示目前的内存芯片价格仍处在“较为合理”的价位，他还对2011年内存市场的前景表示了乐观。

CNBeta编译
原文：digitimes