早些时候，英特尔首席架构师 Raja Koduri 分享了“七合一”设计的 Xe HPC GPU 的封装照片，而后外媒迅速对这款基于 7nm 制程的双 Tile GPU 产品的规格进行了分析。最新消息是，WCCFTech 援引消息人士的爆料，给出了带有正确注释的芯片图表，包括位于基板中间的计算单元、两侧的 HBM2 高带宽显存、以及边缘位置的 Xe Link IO 。

（图 via WCCFTech）

此前大家对于 Raja Koduri 披露的所谓“七项技术”的理解，包括了双 Tile 版本的 Xe HPC GPU 所使用的 Foveros 技术、英特尔的 10nm ESF 工艺、以及台积电的 7nm 制程。

现在，通过与至少两个消息来源进行交叉确认，WCCFTech 终于知晓了该公司首款 7nm Xe HPC GPU 芯片封装的正确注释。

首先是位于图片左上角和右下角的两颗 Xe Link IO 芯片，其基于台积电的 7nm 工艺制造。有趣的是，基板两侧似乎还整合了两种不同大小的 HBM2 高带宽显存。

其次是位于长方形基板中间的英特尔7nm 计算核心，每 Tile 中的 8 个计算核心通过 Passive Die Stiffeners 进行整合、以及与 HBM2 高带宽显存连接。

显然，为了打造这款 7nm 产品，英特尔还应用了嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）和 Foveros 3D 封装等技术，比如由台积电代工的 7nm IO 连接芯片和 Rambo Cache 缓存。

以下是对 Raja Koduri 分享的“七项技术”的完整解释：

● 英特尔 7nm 工艺；

● 台积电 7nm 工艺；

● Foveros 3D 封装；

● EMIB 嵌入式多芯片互连桥接；

● 增强型 Super Fin 工艺；

● Rambo Cache 缓存；

● HBM2 高带宽显存。