台积电公司宣布他们将于28nm制程之后跳过22nm全代制程，直接开发20nm半代制程技术。在台积电公司日前举办的技术会展上，台积电公司展示了部分 20nm半代制程的一些技术细节，20nm制程将是继28nm制程之后台积电的下一个主要制程平台，另外，20nm之后，台积电还会跳过18nm制程。 根据台积电会上展示的信息显示，他们的20nm制程将采用10层金属互联技术，并仍然采用平面型晶体管结构，增强技术方面则会使用HKMG/应变硅和较新的“low-r”技术（即由铜+low-k绝缘介质组成的互连层）。另外，台积电的20nm制程工艺将彻底放弃栅极氧化硅型绝缘层，全面转向HKMG栅极结构。

光刻工艺方面，台积电20nm制程将继续沿用193nm沉浸式光刻技术，不过会起用双重掩膜技术（double-patterning）和SMO技术（source-mask optimization）以增强现有的193nm沉浸式光刻技术。

与台积电之前推出的制程技术首先专注于低功耗的风格不同，台积电的20nm制程技术将把高性能作为开发的重点。

台积电这次透露20nm制程细节的举动令他们相对其它代工业对手如GlobalFoundries，三星，联电等似乎有“领先一步”的优越感。此前三星和联电公司在公开场合甚少或根本没有提及其发展2xnm级别制程工艺技术的计划。而 GlobalFoundries公司此前则表示要到2012年下半年才会开始启用22nm级别的制程工艺，而台积电启动20nm制程的日期则也放在了12年下半年。相比之下，Intel公司则计划于2011年第四季度转向22nm制程技术。

过去，台积电总是遵循ITRS的发展路线图执行自己的制程研发计划，先开发出“全代”型制程工艺，然后再研发出更高级的“半代”型制程工艺，方便用户进行制程升级。不过这次20nm制程的研发计划似乎与过去他们的风格稍有不同。为了突出自己产品的差异化，他们会首先劝说客户采用半代型制程，比如他们虽然开发出了32nm制程技术，不过却在大力宣传并劝说客户使用自己的28nm制程技术。

过去，人们曾以为台积电会推出22nm制程，不过据台积电CEO张忠谋介绍：“用户当然也可以选择22nm制程，不过我们决定跳过这种制程。”他并认为20nm制程技术能提供比22nm制程更高的晶体管密度，管子性能以及成本。

CNBeta编译
原文：eetasia