三星公司最近宣布已经开始向部分客户送样内部集成有20nm制程MLC NAND闪存芯片的内存卡产品，在与Intel--镁光联盟的NAND闪存制程大战中占到了先机，Intel与镁光合资的IMFlash公司今年二月份曾 抢先宣布开始送样25nm制程的8GB（64Gbit）NAND闪存芯片产品，不过他们需要到今年第二季度才可以开始生产20nm制程NAND闪存芯片。
三星公司存储产品分部的总裁 Soo-In Chong自豪地表示：“在我们的30nm制程NAND闪存芯片产品开始生产后仅一年时间，三星便推出了基于20nm制程的NAND闪存芯片产品。”三星是从去年三月份开始生产30nm制程 32Gb NAND闪存芯片产品的。

三星这次推出的20nm制程8GB闪存卡产品的写入速度可达10MB/s，比上一代30nm制程8GB产品的写入速度提升了30%左右；读取速度则提升到了20MB/s。三星表示将使用新款20nm制程芯片制作容量在4GB-64GB之间的内存卡产品。

相比之下，IMFlash公司的25nm制程64Gbit NAND闪存芯片面积为167平方毫米，采用TSOP封装形式。32GB容量的NAND闪存芯片可用于制造256GB容量的SSD硬盘产品，而闪存容量为32GB的智能手机则只需要4片8GB容量的NAND闪存芯片，16GB容量的闪存卡则只需要两块这样的芯片。

据iSuppli市调公司的报告显示，去年第三季度，Intel在全球NAND闪存市场所占的市占率为6.1%，镁光则占7.7%， Numonyx （已被镁光收购）公司则占2.3%，海力士公司占10%，东芝和三星则是NAND闪存市场的领头羊，其市占率分别为34%和39%。

CNBeta编译
原文：electronicsweekly